据外媒报道,恩智浦(NXP)计划关闭多家8英寸晶圆厂,转向更高效率的12英寸制造。这一战略调整旨在提升生产效率和降低成本。报道中称,恩智浦计划关闭4座8英寸晶圆厂,其中一座位于荷兰奈梅亨,另外三座则在美国境内。此外,其与世界先进合资企业VSMC在新加坡建设的12英寸晶圆厂将于2027年开始量产2029年月产能将达到5.5万片晶圆,合资形式也降低了恩智浦产能建设的风险。计划投资78亿美元,兴建一座1
了解详情 2025-07-21
据丽水经开区、中欣晶圆官微消息,6月7日,浙江丽水中欣晶圆半导体材料有限公司举行12吋抛光片通线仪式,标志着丽水经开区正式量产全市首批12吋抛光片。中欣晶圆丽水的抛光项目采用当前全球最先进的生产技术,此次12吋抛光片的成功通线具有里程碑式的意义,标志着中欣晶圆在丽水实现了12吋大硅片“长晶+切磨抛”全流程的生产制造。据悉,浙江丽水中欣晶圆半导体材料有限公司成立于2022年,于去年12月成功下线全市
了解详情 2025-07-21
据重庆市职业教育学会官微消息,近日,西部集成电路与工业软件创新港迎来重要里程碑。在重庆智能工程职业学院举行的中国半导体行业协会集成电路人才储备基地授牌仪式暨战略合作签约活动上,龙芯中科、中科物联所、苏州华兴源创科技、苏州芯产教科技、TCL格创东智科技、上海摩尔精英集成电路、上海维熟科技等7家半导体领域头部企业集中签约,成为首批强势助力创新港建设的核心伙伴。据悉,西部集成电路与工业软件创新港是响应国
了解详情 2025-07-21
据报道,铠侠控股近日召开经营方针说明会,称计划在五年内将产能翻一番,预计2026年生产出下一代NAND闪存。铠侠表示,计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线,到2029财年将产能较2024财年提高一倍,以满足AI数据中心对NAND闪存日益增长的需求。同日,该公司公布了其中长期经营计划,北上市第二生产基地大楼将于9月落成,并将引入新设备以提升产能,计划在2026年3月实现其销售额超过现有产品。【
了解详情 2025-07-21
据台媒报道,三星位于韩国华城的DRAM第17产线(Line 17)正推动制程转换,预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程,配合HBM与下一代DRAM量产。三星将以平泽P4厂为主轴,自2025年下半年起进行大规模设备扩充投资,以提升成本竞争力。此外,韩媒报道称,三星电子在DRAM内存领域率先导入干式光刻胶 (Dry PR) 技术,将应用于到即将正式推出的第6代10纳米级工艺 (1c nm) 中。
了解详情 2025-07-20