来源:博顿光电《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》由工信部牵头制订,根据国家和重点产业的重大技术装备发展情况每2-3年动态调整一次,体现了政府对重大技术装备发展的引导。根据要求,入选指导目录的技术装备产品需具备突破性技术,并已在市场上实现销售或处于研制阶段,同时拥有已授权发明专利。这一举措旨在通过政策引导,鼓励和支持企业加强自主创新,突破关键核心技术,推动装备制造业向高质量、高附加值方向发展
了解详情 2025-03-16
来源:III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构,以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中,III-V Epi 首席技术官兼英国阿斯顿光子技术研究所 (AIPT) 光子学教授 Richard Hog
了解详情 2025-03-16
转自:北京亦庄7月25日,北京经济技术开发区(北京亦庄)碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司(以下简称“芯合半导体”)发布自主研发生产的SiC SBD(碳化硅二极管)、SiC MOSFET(碳化硅三极管)两个系列的多款碳化硅功率器件,为半导体产业发展注入“芯”动力。作为用来控制电流的重要半导体器件,SBD和MOSFET广泛应用于电力电子领域。而被称为第三代半导体关键材料的碳化硅(Si
了解详情 2025-03-15
近日,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)官方微信消息,其标准化委员会(CASAS)公布了13项标准新进展,包括2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案、2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见、9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制。012项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案2024年7月25日,由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草
了解详情 2025-03-15
来源:Gas World韩国SK海力士宣布投资9.4万亿韩元(约合68亿美元)用于建设新的半导体园区,该园区将拥有四座最先进的晶圆厂和一个综合合作场地。该半导体园区位于龙仁市,旨在支持SK海力士的增长计划,并将有助于满足对人工智能内存半导体等产品日益增长的需求。园区占地415万平方米,目前正在进行场地准备和基础设施建设。SK海力士希望于2025年3月开始在该园区建造第一座晶圆厂,并于2027年5月
了解详情 2025-03-15