11月16日,芯联集成电路制造股份有限公司(以下简称“芯联集成)正式发布全新碳化硅G2.0技术平台,该平台采用了8英寸更先进制造技术,已达到全球领先水平。据悉,该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化,实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标,全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景,可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及AI数据中心电源等广阔市场。在电驱领域,芯联
了解详情 2026-04-12
近日,三星集团表示,未来五年内将计划总计450万亿韩元(约3100亿美元)的国内投资,包括研发(R&D)。计划扩大半导体投资,在韩国平泽第2工厂新建的第5条线计划于2028年全面投产。三星电子计划通过11月初收购的PlactGroup在韩国建设一条生产线,专注于AI数据中心市场。三星SDI正在推进在国内建立下一代电池生产基地的计划,例如被称为“梦想电池”的固态电池,
了解详情 2026-04-12
美国国防高级研究计划署(DARPA)与德克萨斯州政府联合投资14亿美元,计划改造位于德州奥斯汀的德克萨斯电子研究所(TIE)旧厂,打造全球首个专注于3D异构集成(3DHI)技术的先进实验晶圆厂。该晶圆厂将集成多种半导体材料(包括硅、氮化镓和碳化硅)和不同芯片类型,实现芯片层间的堆叠与互联,极大提升微电子器件性能。根据DARPA预测,硅基芯片堆叠性能较传统二维设计提升可达30倍,采用异质半导体材料则
了解详情 2026-04-12
近日,珠海镓未来科技有限公司Gen3技术平台650/700V系列场效应晶体管(FET)正式宣布全面推广上市。镓未来 公司指出,该系列产品将从器件可靠性、效率最大化、应用集成度等方面重新定义功率半导体性能边界,其核心突破将为消费电子、新能源汽车、光伏逆变器等多领域带来革命性的能效跃升。据悉,Gen3技术平台采用创新栅极设计,实现所有宽禁带器件中最强的栅极鲁棒性,栅极驱动简单且与传统Si MOSFET
了解详情 2026-04-12
2025年,全球存储产业身处风云激荡的变革周期。地缘形势的紧张态势与贸易保护主义的持续升级,给存储器产业链的稳定发展带来显著挑战;与此同时,市场正加速向HBM、DDR5及LPDDR5等高利润高端赛道集中,产业结构迎来深度调整。值得关注的是,AI算力需求的爆发式增长,正持续驱动HBM、大容量SSD等尖端存储器的技术迭代与市场扩张——尽管消费电子市场尚未完全复苏,但AI PC、
了解详情 2026-04-11