来源:Silicon Semiconductor推出 Ultra ECP ap-p 设备 - 可提供良好的均匀性,为下一代芯片封装提供性能和成本效率。ACM Research 推出了专为扇出面板级封装 (FOPLP) 设计的新型面板电化学电镀 (Ultra ECP ap-p) 设备。这款新设备采用水平电镀方法,可在整个面板上实现良好的均匀性和精度。ACM 总裁兼首席执行官 David Wang 博
了解详情 2025-03-06
据toms hardware消息,日本芯片制造商Rapidus Corporation正在日本北部建设一家芯片制造厂,该公司表示将使用机器人和人工智能创建一个完全自动化的生产线,用于生产用于高级AI应用的2纳米芯片。据《日经亚洲》报道,其2纳米芯片的原型设计将于明年开始,但大规模生产至少要到2027年才会开始。据说,自动化将加快生产时间,使该公司能够在与竞争对手相比只需三分之一的时间交付芯片。Ra
了解详情 2025-03-06
自动缓解热问题成为异构设计中的首要任务。3D-IC 和异构芯片将需要对物理布局工具进行重大改变,其中芯片的放置和信号的布线会对整体系统性能和可靠性产生重大影响。EDA 供应商非常清楚这些问题,并正在致力于解决方案。3D-IC 面临的首要挑战是散热。逻辑通常会产生最多的热量,而将逻辑芯片堆叠在其他逻辑芯片之上需要一种方法来散热。在平面 SoC 中,这通常通过散热器或基板来处理。但在3D-IC中,需要
了解详情 2025-03-05
人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级,无法支撑应用需求。记者从复旦大学获悉,该校周鹏-刘春森团队在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。北京时间8月12日下午,相关成果以“二维超快闪存的规模集成工艺”为题发表于《自然·电子学》。周鹏-刘春森团队在前期研究中表明二维半导体结构能够将其速度提升1
了解详情 2025-03-05
随着硅基商用晶体管尺寸的不断缩减,物理极限、功耗和成本等挑战日益凸显,为了满足集成电路对集成度和计算能力的需求,亟需引入新原理、新结构和新材料。半导体型阵列碳纳米管(A-CNT)因其高载流子迁移率、超薄结构和对称能带等优越特性,成为研究的热点。基于A-CNT制备的互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOS FET)在电学性能上几乎呈现对称性(Science 368, 850, 2020; Natu
了解详情 2025-03-05