来源:芯智讯当地时间7月26日,美国拜登政府宣布,美国商务部和半导体封测大厂安靠(Amkor)签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)。美国商务部将根据《芯片与科学法案》提供高达 4 亿美元的拟议直接资金。这笔拟议的资金将支持安靠在亚利桑那州皮奥里亚的一个绿地项目投资约 20 亿美元和 2,000 个工作岗位,该项目将为世界上最先进的半导体提供完整的端到端先进封装,用于高性能计算、人工智能
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来源:Silicon SemiconductorSkyWater位于明尼苏达的工厂旨在拥有世界上最先进的200毫米光刻技术。SkyWater Technology已从 Multibeam Corp. 获得首款用于批量生产的多柱电子束光刻 (MEBL) 系统。Multibeam (MB) 平台是半导体行业的里程碑,它提供了一种高吞吐量直接写入图案化系统,其速度比传统电子束设备快几个数量级,生产效率更
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来源:博顿光电《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》由工信部牵头制订,根据国家和重点产业的重大技术装备发展情况每2-3年动态调整一次,体现了政府对重大技术装备发展的引导。根据要求,入选指导目录的技术装备产品需具备突破性技术,并已在市场上实现销售或处于研制阶段,同时拥有已授权发明专利。这一举措旨在通过政策引导,鼓励和支持企业加强自主创新,突破关键核心技术,推动装备制造业向高质量、高附加值方向发展
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来源:III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构,以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中,III-V Epi 首席技术官兼英国阿斯顿光子技术研究所 (AIPT) 光子学教授 Richard Hog
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转自:北京亦庄7月25日,北京经济技术开发区(北京亦庄)碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司(以下简称“芯合半导体”)发布自主研发生产的SiC SBD(碳化硅二极管)、SiC MOSFET(碳化硅三极管)两个系列的多款碳化硅功率器件,为半导体产业发展注入“芯”动力。作为用来控制电流的重要半导体器件,SBD和MOSFET广泛应用于电力电子领域。而被称为第三代半导体关键材料的碳化硅(Si
了解详情 2025-03-15